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 LP-CVD





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写真の製品は実物とは異なる場合があります。
  装置名 : LP-CVD
型  式 : TVC-5100
 
icon.gif特 徴
  高性能カンタルヒータ加熱方式採用により、高温度、均熱精度(±0.5℃)を達成
  横型炉を2台搭載、切り替え式になっているので成膜時間が大幅に短縮
  プロセスから発生した反応生成物を除去する高性能トラップを搭載し、排気配管や除害筒の寿命を大幅に延長
  制御には、操作盤のタッチパネル上で手動・自動操作が可能
  最大7系統までの反応性ガスを導入する事が可能
  3段式ラック構成になっており、他の真空装置を設置し、排気系を分岐して接続可能
  省スペース、メンテナンス性が向上
     



















□ 成長室  材質 石英
寸法(内径I D× 高さ H) Φ40×700(mm)
到達真空度 1×10-2  Pa
□ 基板加熱機構 加熱方式 外熱炉方式 MAX 1200℃
均熱範囲 ±0.5℃ 80〜100(mm)
温度制御 デジタル PID 温度制御
炉心管 ( 内径 ID× 高さ L) φ60×400(mm)
炉内設置方式 横型
フローティングゾーン 2 ゾーン
□ ガス系統 反応ガス導入系 MFC対応× 7 系統接続可能
□ 真空系 真空ポンプ RP 500L/sec( フォンブリン仕様)
メカニカルブースターポンプ  90m 3 /Hr
真空度測定 ピラニ真空計 / キャパシタンスマノメータ
□ 装置架台 本体架台寸法 (W×D×H ) 700×1200×1730(mm)
排気系架台寸法 (W×D×H) 800×700×900(mm)

株式会社トービ TEL:0471-84-7255 or 080-4075-1975(高橋)
 〒270-1164 千葉県我孫子市つくし野4-6-1-102