LP-CVD


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写真の製品は実物とは異なる場合があります。
  装置名 : LP-CVD
型  式 : TVC-5100
 
icon.gif特 徴
  高性能カンタルヒータ加熱方式採用により、高温度、均熱精度(±0.5℃)を達成
  横型炉を2台搭載、切り替え式になっているので成膜時間が大幅に短縮
  プロセスから発生した反応生成物を除去する高性能トラップを搭載し、排気配管や除害筒の寿命を大幅に延長
  制御には、操作盤のタッチパネル上で手動・自動操作が可能
  最大7系統までの反応性ガスを導入する事が可能
  3段式ラック構成になっており、他の真空装置を設置し、排気系を分岐して接続可能
  省スペース、メンテナンス性が向上
     


□ 成長室  材質 石英
寸法(内径I D× 高さ H) Φ40×700(mm)
到達真空度 1×10-2  Pa
□ 基板加熱機構 加熱方式 外熱炉方式 MAX 1200℃
均熱範囲 ±0.5℃ 80〜100(mm)
温度制御 デジタル PID 温度制御
炉心管 ( 内径 ID× 高さ L) φ60×400(mm)
炉内設置方式 横型
フローティングゾーン 2 ゾーン
□ ガス系統 反応ガス導入系 MFC対応× 7 系統接続可能
□ 真空系 真空ポンプ RP 500L/sec( フォンブリン仕様)
メカニカルブースターポンプ  90m 3 /Hr
真空度測定 ピラニ真空計 / キャパシタンスマノメータ
□ 装置架台 本体架台寸法 (W×D×H ) 700×1200×1730(mm)
排気系架台寸法 (W×D×H) 800×700×900(mm)

 

 真空陽極接合装置


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写真の製品は実物とは異なる場合があります。
  装置名 : 真空陽極接合装置
型  式 : HORIVAC300S
 
icon.gif概 要
     本装置は処理槽、真空排気系、ガス導入系、加熱部、ピン加重機構、DC電源及び電気制御系より構成されており、カーボン等の抵抗加熱形ヒーター治具にて所定の温度に加熱し、DC電源を印加することにより、Si-バイレックス接合等の作業を行うことができます。操作は、真空排気、ガス導入、ガスパージ、加熱及びDC電源の印加など各動作を手動にて行えます。
 
icon.gif仕 様
   
1)





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3)
内容
(1)処理物 : シリコン-パイレックスガラス(陽極接合)
(2)寸法  : Φ100(4吋ウエハー)
(3)処理量 : 4吋ウエハー 1セット/1パッチ
          (152mm幅 治具1組)

性能
(1)加熱温度 : Max.600℃(カーボン治具の場合)
(2)圧力範囲 : 10Pa〜101080Pa(ブランク時)
(3)到達圧力 : 10Pa Order

用力
(1)電源 :10KVA 200V 3Φ 60Hz or 50Hz
(2)導入ガス : 不活性ガス 1系統導入可
(3)冷却水 : 15L/min.以上
(4)圧縮空気 : 0.5MPa〜0.77MPa
※各種応用が簡単に対応できるように設計されています。
     

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